- “사람 뇌와 유사점 있어…향후 실제 뇌 모방하는 뉴로모픽 기술 개발에 도움”
[인사이드비나=오태근 기자] 삼성전자가 차세대 저전력 인공지능(AI)칩을 만들 수 있는 기술인 인메모리(In-Memory) 컴류팅을 세계최초로 구현했다.
삼성전자는 13일 종합기술원 등 자사 연구진이 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory 자기저항메모리)을 기반으로한 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계최초로 구현, 연구결과를 12일(영국 현지시간) 세계적인 학술지 ‘네이처(Nature)’에 게재했다고 밝혔다.
네이처지에 게재된 논문의 제목은 ‘A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing’이며, 삼성전자 종합기술원 정승철 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다. 이와함께 종합기술원, 반도체연구소, 파운드리사업부 연구원들도 공동으로 연구에 참여했다.
인-메모리 컴퓨팅은 기존 컴퓨터가 데이터 저장을 담당하는 메모리 칩과 데이터 연산을 책임지는 프로세서 칩을 따로 나누어 구성하는 것과 달리 메모리내에서 데이터 저장뿐 아니라 데이터 연산까지 수행하는 최첨단 칩 기술이다.
메모리내 대량의 정보를 이동없이 메모리내에서 병렬 연산하기 때문에 전력소모가 현저히 낮아, 차세대 저전력 인공지능(AI) 칩을 만드는 유력한 기술로 주목받고 있다.
RRAM(Resistive RAM 저항메모리)과 PRAM(Phase-change RAM 위상변화메모리) 등 비휘발성 메모리를 활용한 인-메모리 컴퓨팅의 구현은 지난 수년간 세계적으로 관심이 높은 연구 주제였다.
그러나 또 다른 비휘발성 메모리인 MRAM은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 불구하고, 낮은 저항값을 갖는 특성 때문에 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않아 인-메모리 컴퓨팅으로 구현되지 못했다.
삼성전자 연구진은 이같은 MRAM의 한계를 기존의 ‘전류합산’ 방식이 아닌 새로운 개념의 ‘저항합산’ 방식의 인-메모리 컴퓨팅 구조를 제안함으로써 저전력 설계에 성공했다.
연구진은 MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 칩의 성능을 인공지능 계산에 응용해 숫자분류에서는 최대 98%, 얼굴검출에서는 93%의 정확도로 동작하는 것을 검증했다.
이번 연구는 시스템반도체 공정과 접목해 대량생산이 가능한 비휘발성 메모리인 MRAM을 세계 최초로 인-메모리 컴퓨팅으로 구현하고, 차세대 저전력 AI 칩 기술의 지평을 확장했다는데 큰 의미가 있다는게 삼성전자의 설명이다.
연구진은 새로운 구조의 MRAM 칩을 인-메모리 컴퓨팅으로 활용할 뿐 아니라, 생물학적 신경망을 다운로드하는 뉴로모픽 플랫폼으로의 활용 가능성도 함께 제안했다.
논문의 제1저자인 정승철 전문연구원은 “인-메모리 컴퓨팅은 메모리와 연산이 접목된 기술로, 기억과 계산이 혼재되어 있는 사람의 뇌와 유사한 점이 있다”며 “이번 연구가 향후 실제 뇌를 모방하는 뉴로모픽 기술의 연구 및 개발에도 도움이 될 수 있을 것”이라고 말했다.
삼성전자는 초격차 메모리기술 역량을 시스템반도체 기술과 접목하여, 차세대 컴퓨팅 및 인공지능 반도체 분야에서 지속적으로 기술 리더십을 확장해 나갈 계획이다.
