[인사이드비나=오태근 기자] 삼성전자가 내년에 5세대 10나노미터(㎚•1㎚는 10억분의 1m)급 D램을 세계최초로 양산에 들어가며, 오는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 또한 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템반도체와 사람의 오감(五感, 미각•후각•청각•시각•촉각)을 감지하고 구현할 수있는 센서 개발에 나선다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성테크데이 2022(Samsung Tech Day 2022)’를 열어 이같은 내용의 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

이날 행사는 글로벌 IT기업, 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장 등 모두 800여명이 참석한 가운데 진행됐다. 

[메모리 반도체] 차별화된 솔루션과 시장창출로 리더십 유지

삼성전자는 ‘5세대 10나노급(1b) D램’, ‘8세대/9세대 V낸드’를 포함한 차세대제품 로드맵을 공개하며 차별화된 솔루션과 시장창출로 메모리기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조GB를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을만큼 급변하는 디지털전환을 체감하고 있다”며 “향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전해 나갈 것”이라고 밝혔다.

◆5세대 10나노급 D램 등 차세대솔루션으로 데이터인텔리전스 진화

삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램솔루션과 공정미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램기술을 공개했다.

데이터사용량 폭증추세에 맞춰 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템아키텍처를 지원할 수있는 차세대 D램기술의 성장을 위해 글로벌 IT기업들과 협력할 예정이다.

또한, 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

5세대 10나노급 D램을 내년에 양산하고, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정기술 적용과 차세대제품 구조를 통해 공정미세화 한계를 극복할 계획이다.

◆ 2030년 1000단 V낸드 개발…신기술로 시장패러다임 전환

삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드기술로 새로운 패러다임 제시에 나선다.

올해 세계 최고용량의 8세대 V낸드기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다. 또한 7세대 대비 단위면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(Quadruple Level Cell) 생태계를 확대하고, 전력효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.

◆ 차량용메모리, 차세대스토리지 등 혁신 앞당길 솔루션 공개

삼성전자는 2015년 차량용메모리 시장에 첫 진입한 이후, 빠른 성장세를 이어가고 있다. 자율 주행(AD), 첨단 운전자지원시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리솔루션을 공급해 2025년 차량용메모리 시장에서 1위를 달성할 계획이다.

또한 차량의 첨단화•전동화에 따른 고성능메모리 필요성이 더욱 커짐에 따라 LPDDR5X, GDDR7, Shared Storage 등 차세대메모리 솔루션을 제공해 모빌리티혁신을 이루어 나가기로 했다.

엔터프라이즈부터 클라이언트, 모바일, 차량용, 브랜드까지 다양한 스토리지 라인업을 갖춘 삼성전자는 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB(Host Memory Buffer) 기술을 적용한 SSD ‘PM9C1a’도 공개했다.

SSD 내부 연산 기능을 강화한 컴퓨테이셔널 스토리지(Computational Storage) 개발도 지속하고 있다. 인공지능에 최적화된 고성능, 저전력 제품을 통해 지속가능한 미래를 만들어 나갈 방침이다.

[시스템 반도체] 제품간 유기적 융합으로 ‘통합 솔루션 팹리스’ 지향

삼성전자는 시스템반도체 제품간 시너지 극대화를 통해 ‘통합 솔루션 팹리스’로 거듭난다는 계획이다. 박용인 사장은 “사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야하는 4차산업혁명 시대에서 인간의 두뇌•심장•신경망•시각 등의 역할을 하는 시스템반도체의 중요성은 어느 때보다 커질 것”이라며 “삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, DDI(Display Driver IC), 모뎀 등 다양한 제품의 주요기술을 유기적으로 융합해 4차산업혁명 시대를 주도하는 ‘통합 솔루션 팹리스’가 될 것”이라고 강조했다.

◆ 사람 눈에 가까운 초고화소 이미지센서 개발

4차산업혁명 시대에는 초지능화(Hyper-Intelligence), 초연결성(Hyper-Connectivity), 초데이터(Hyper-Data)가 요구되리라는 전망에 따라 삼성전자는 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템반도체를 개발을 추진한다.

SoC에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요IP의 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심경쟁력을 강화한다. 또한 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고, 사람의 오감을 감지하고 구현할 수있는 센서도 개발할 예정이다.

◆ 5G모뎀•차량용SoC•DDI 등 차세대 시스템반도체 제품 공개

삼성전자는 첨단 시스템반도체 제품을 선보였다. 차세대 차량용SoC ‘엑시노스 오토(Exynos Auto) V920’, 5G모뎀 ‘엑시노스 모뎀 5300’, QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2200’, 업계 최소 픽셀크기의 2억화소 이미지센서 ‘아이소셀(ISOCELL) HP3’, ‘생체인증카드’용 지문인증IC 제품 등이 공개됐다.

엑시노스 2200은 최첨단 4나노 EUV 공정, 최신 모바일 기술, 차세대 GPU, NPU가 적용된 제품으로 게임, 영상처리, AI 등 다양한 영역에서 새로운 차원의 사용자 경험을 제공한다. 

0.56㎛ 크기 픽셀의 아이소셀 HP3는 픽셀크기를 기존제품 대비 12% 줄여 모바일기기에 탑재할 카메라 모듈크기를 최대 20%까지 축소하는 것이 가능해졌다.

지문인증IC는 삼성전자가 업계 최초로 카드에 각각 탑재하던 하드웨어 보안칩(SE, Secure Element), 지문센서, 보안프로세서를 하나의 IC칩에 통합한 제품으로 신용카드 사용자의 편의성을 높인다.